管ＭＯＳ，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Ｍetal-Ｏxide-Ｓemiconductor Ｆield-Ｅffect Ｔransistor），是电子电路中最为经常使用的半导体器件。以其开关速度快、输入阻抗高、功耗低等优点，用于各种电子装备，比如可以计算机、手机、电源管理系统等。
管的工作原理主要基于ＭＯＳ「场效应」来控制电流的导通和截止。其结构主要包括三个部份：源极（Ｓource，Ｓ）、漏极（Ｄrain，Ｄ）和栅极（Ｇate，Ｇ）。源极和漏极之间构成导电沟道，而栅极则通过一层薄薄的绝缘层（为二氧化硅）与导电沟道隔离。
以沟道增强Ｎ型管为例ＭＯＳ，当栅极电压为0时，源极和漏极之间不存在导电沟道，管处于截止状态ＭＯＳ。当在栅极施加正电压时，栅极的正电场会吸引型衬底中的电子向栅极下方聚集Ｐ，构成一层称为「反型层」的型导电沟道Ｎ，连接源极和漏极，管导通ＭＯＳ。栅极电压越高，反型层中的电子浓度就越高，导电沟道的电阻越低，管的导通能力就越强ＭＯＳ。
与以前的双极型晶体管（ＢＪＴ）相比，管能够以下几个明显优势ＭＯＳ：
输入阻抗高: 管的栅极和导电沟道之间是绝缘的ＭＯＳ，几近没有电流流入栅极，这样看来输入阻抗非常高，可以视为电压控制元件。这使得管在放大电路中可以取得很高的电压增益ＭＯＳ。
开关速度快: 管的导通和截止速度非常快ＭＯＳ，远高于ＢＪＴ，这使得管在高频电路中能够明显优势ＭＯＳ。
功耗低: 管在静态时ＭＯＳ几近没有电流活动，这样看来功耗非常低，这对便携式电子装备尤其重要。
管的种类繁多ＭＯＳ，根据沟道类型可以分为沟道管和沟道管ＮＭＯＳＰＭＯＳ；根据工作模式可以分为增强型管和耗尽型管ＭＯＳＭＯＳ。不同的管能够不同的特性ＭＯＳ，根据具体的运用处景选择适合的型号。
总而言之，管是一种非常重要的半导体器件ＭＯＳ，工作原理基于场效应，能够输入阻抗高、开关速度快、功耗低等优点，用于各种电子装备。
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