ＭＯＳＦＥＴ，全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Ｍetal-Ｏxide-Ｓemiconductor Ｆield-Ｅffect Ｔransistor），是一种用于摹拟电路和数字电路中的半导体器件。其工作原理是利用电场效应来控制电流的导通和截止。
管的基本结构包含了三个端子ＭＯＳ：源极（Ｓource，Ｓ）、漏极（Ｄrain，Ｄ）和栅极（Ｇate，Ｇ）。源极和漏极之间有一条导电沟道，沟道的导电类型决定了管的类型ＭＯＳ：沟道ＮＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳ）或沟道ＰＭＯＳＦＥＴ（ＰＭＯＳ）。栅极与沟道之间隔着一层薄薄的绝缘层，是二氧化硅（ＳiＯ2）。
以为例ＮＭＯＳ，当栅极电压（Ｖgs）为0时，源极和漏极之间没有导电沟道，管处于截止状态ＭＯＳ，没有电流活动。当栅极电压大于一定的阈值电压（Ｖth）时，栅极的正电场吸引半导体中的电子在绝缘层下方构成反型层，从而在源极和漏极之间构成导电沟道，管导通ＭＯＳ，电流可以从漏极流向源极。
栅极电压越高，反型层中的电子浓度越高，导电沟道的电阻越小，漏极电流（Ｉds）越大。这样看来，通过控制栅极电压，可以控制管ＭＯＳ的导通电阻，从而控制漏极电流的大小。
**电压控制电流：**管是一种电压控制电流的器件ＭＯＳ，栅极电压控制漏极电流的大小。
**高输入阻抗：**栅极和沟道之间是绝缘的，这样看来管的ＭＯＳ输入阻抗非常高。
**低导通电阻：**当管导通时ＭＯＳ，导通电阻很低，可以实现低功耗的开关控制。
**快速开关速度：**管的开关速度非常快ＭＯＳ，可以用于高频电路。
管用于各种电子电路中ＭＯＳ，包含了：
**放大电路：**管可以作为放大器件ＭＯＳ，用于放大信号。
**开关电路：**管可以作为电子开关ＭＯＳ，用于控制电路的通断。
**数字电路：**管是构成各种逻辑门电路的基本单元ＭＯＳ。
**电源管理：**管用于电源管理电路中ＭＯＳ，比如可以稳压器、ＤＣ-转换器等ＤＣ。
管是一种重要的半导体器件ＭＯＳ，工作原理基于电场效应。管能够电压控制电流ＭＯＳ、高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度等特点，用于各种电子电路中。
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