1、行业概述
场效应晶体管（Ｆield-Ｅffect Ｔransistor，简称ＦＥＴ）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件。与以前的晶体三极管相比，场效应晶体管能够输入阻抗高、功耗低、开关速度快等优势，用于消费电子、通讯、工业控制、汽车电子等领域。
2、市场范围和发展趋势
近些年来，物联网、人工智能、5通讯等新兴技术的快速发展Ｇ，市场对场效应晶体管的需求延续增长。根据市场研究机构的数据，全球场效应晶体管市场范围预计将从2021年的亿美元增长到ＸＸ2026年的亿美元ＸＸ，年复合增长率为ＸＸ%。
未来，场效应晶体管行业将出现以下发展趋势：
高性能化： 运用处景的不断扩大，市场对场效应晶体管的性能要求愈来愈高，比如可以更高的工作频率、更低的功耗、更小的尺寸等。
集成化： 将多个场效应晶体管集成到一个芯片上，可以可以提高器件的性能和可靠性，下降本钱和功耗。
新材料运用： 为了满足更高性能的需求，新型材料，如碳化硅（ＳiＣ）和氮化镓（ＧaＮ），正逐渐用于场效应晶体管的制造。
3、竞争格局和主要企业
全球场效应晶体管市场竞争剧烈，主要企业包含了英飞凌、恩智浦、德州仪器、意法半导体等国际巨头，和一些中国本土企业。
4、投资机会和风险分析
投资机会：
高端市场需求增长：5Ｇ、新能源汽车等新兴产业的快速发展，对高端场效应晶体管的需求将延续增长，为国内企业提供了进入高端市场的机遇。
国产替换加速：在国家政策的支持下，国内场效应晶体管企业在技术水平和产品质量方面不断提升，逐渐实现对进口产品的替换。
投资风险：
技术竞争剧烈：场效应晶体管行业技术发展迅速，企业不断加大研发投入，才能保持竞争力。
原材料价格波动：场效应晶体管的原材料价格受国际市场供求关系影响较大，价格波动对企业盈利造成影响。
5、投资建议
重点关注技术领先、产品结构优化、市场开辟能力强的企业。
密切关注行业政策变化和市场需求变化，及时调剂投资策略。
Ｄisclaimer: 本报告仅供参考，不构成任何投资建议。投资者可以根据本身风险承受能力和投资目标，谨慎做出投资决策。
