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场效应晶体管雏形

时间：2024-10-09 阅读量：9

场效应晶体管（ＦＥＴ）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件，与双极性晶体管（ＢＪＴ）一起构成了现代电子技术的基石。场效应晶体管的雏形可以追溯到20世纪20年代，当时物理学家们开始探索半导体的性质。

1925年，美国物理学家朱利斯·埃德加·利林费尔德（Ｊulius Ｅdgar Ｌilienfeld）提出了第一个场效应晶体管的概念。他在专利申请中描写了一种利用电场控制电流的器件，这类器件类似于一个金属-绝缘体-半导体（ＭＩＳ）结构。当时的技术限制，利林费尔德并没有制造出实用的场效应晶体管。

1930年，德国物理学家奥斯卡·海尔（Ｏskar Ｈeil）也提出了一种类似于场效应晶体管的器件。海尔的器件使用了一种称为「场效应」的现象，这类现象是指电场可以改变半导体材料的电导率。海尔的器件也由于技术缘由此没法实现。

直到20世纪40年代末，半导体材料和制造工艺的进步，场效应晶体管才得以真正实现。1947年，美国贝尔实验室的约翰·巴丁（Ｊohn Ｂardeen）和沃尔特·布拉顿（Ｗalter Ｂrattain）发明了点接触晶体管，这是一种初期的双极性晶体管。他们的工作为场效应晶体管的发展铺平了道路。

1952年，贝尔实验室的威廉·肖克利（Ｗilliam Ｓhockley）发明了第一个实用的场效应晶体管——结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）。肖克利的使用了一个结来控制电流ＪＦＥＴpn，能够更高的输入阻抗和更低的功耗，相比于当时的双极性晶体管能够明显优势。

场效应晶体管的雏形经历了漫长的发展历程，从最初的概念到终究的实现，凝聚了众多科学家的智慧和努力。场效应晶体管的发明完全改变了电子技术的面貌，为现代电子工业的蓬勃发展奠定了基础。

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