结型场效应晶体管（Ｊunction Ｆield-Ｅffect Ｔransistor，简称ＪＦＥＴ）是一种电压控制器件，利用电场效应来控制电流。与双极型晶体管不同，ＪＦＥＴ 的工作原理是通过改变器件内部导电沟道的宽度来控制电流，而不是通过控制基极电流。ＪＦＥＴ 能够输入阻抗高、噪声低、功耗低等优点，被用于放大电路、开关电路、振荡电路等领域。
ＪＦＥＴ 主要由源极（Ｓource，Ｓ）、栅极（Ｇate，Ｇ）和漏极（Ｄrain，Ｄ）三个电极组成。源极和漏极之间构成导电沟道，栅极则位于沟道两侧，用于控制沟道的宽度。根据沟道类型的不同，ＪＦＥＴ 可以分为 Ｎ 沟道 ＪＦＥＴ 和 Ｐ 沟道 ＪＦＥＴ 两种。Ｎ 沟道 ＪＦＥＴ 的沟道由 Ｎ 型半导体材料构成，Ｐ 沟道 ＪＦＥＴ 的沟道由 Ｐ 型半导体材料构成。
ＪＦＥＴ 的工作原理是基于场效应。当在栅极和源极之间施加反向电压时，栅极和沟道之间会构成一个耗尽层，耗尽层会阻挠载流子通过，从而减小沟道的宽度。当栅源电压增大时，耗尽层扩大，沟道变窄，电流减小；反之，当栅源电压减小时，耗尽层收缩，沟道变宽，电流增大。
ＪＦＥＴ 的主要参数包含了：
栅源截止电压（ＶＧＳ(off)）： 当栅源电压等于或小于该值时，漏极电流接近于零。
跨导（gm）： 表示栅源电压对漏极电流的控制能力。
漏源饱和电流（ＩＤＳＳ）： 指栅源电压为 0Ｖ 时的漏极电流。
ＪＦＥＴ 的运用非常，比如可以：
放大电路： ＪＦＥＴ 能够高输入阻抗的特性，这样看来非常合适用于放大微弱信号。
开关电路： ＪＦＥＴ 可以作为电子开关使用，开关速度快、功耗低。
振荡电路： ＪＦＥＴ 可以与其他元件构成振荡电路，用于产生特定频率的信号。
总而言之，ＪＦＥＴ 是一种性能优秀的半导体器件电子电路中扮演侧重要的角色。半导体技术的不断发展，ＪＦＥＴ 的性能将会进一步提升，运用范围也将更加。
