ＤＲＡＭ（Ｄynamic Ｒandom Ａccess Ｍemory，动态随机存取存储器）是一种用于计算机系统主存的半导体存储器。相比于其他类型的存储器，如ＳＲＡＭ（Ｓtatic Ｒandom Ａccess Ｍemory，静态随机存取存储器），ＤＲＡＭ的主要优势在于其结构简单，每一个存储位的数据只需一个晶体管和一个电容来处理，这使得ＤＲＡＭ能够非常高的集成度和较低的本钱。
ＤＲＡＭ的工作原理基于电容的充放电特性。每一个ＤＲＡＭ存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，晶体管用于控制电容器的充放电进程，而电容器则用于存储电荷以表示二进制数据。当电容被充电时，表示数据位为“1”；若电容没有被充电，则表示数据位为“0”。
ＤＲＡＭ主要可以分为ＤＤＲ（Ｄouble Ｄata Ｒate）系列、ＬＰＤＤＲ（Ｌow Ｐower Ｄouble Ｄata Ｒate）系列和ＧＤＤＲ（Ｇraphics Ｄouble Ｄata Ｒate）系列、ＨＢＭ（Ｈigh Ｂandwidth Ｍemory）系列等。技术的发展，ＤＲＡＭ从2Ｄ架构转向3Ｄ架构是未来的主要趋势，这样可以可以下降ＤＲＡＭ的单位本钱。
ＤＲＡＭ在现代电子装备中扮演着非常的重要的角色，用于个人电脑、服务器、智能手机、游戏机等各种电子装备，作为主存服务于中央处理器（ＣＰＵ）或图形处理器（ＧＰＵ）。
目前，ＤＲＡＭ市场主要由三星、美光和海力士等几家大型企业主导，而国内的ＤＲＡＭ厂商如长鑫存储也在积极发展。
ＤＲＡＭ作为一种易失性存储器计算机系统中承当着临时存储的角色，快速的读写能力和相对较低的本钱使其成了主存的首选。技术的不断进步，ＤＲＡＭ的制程技术也在不断缩小，从2Ｄ转向3Ｄ，带来了更高的集成度和更低的本钱。未来，新技术的不断出现，ＤＲＡＭ将继续在存储领域，有着其重要作用。
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