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长晶科技SGT MOSFET技术分析

时间：2024-08-06 阅读量：118

长晶科技，全称为江苏长晶科技有限公司，成立于2018年，是以自主研发、销售服务为主体的半导体公司。该公司专注于功率半导体、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发、设计应用、销售，拥有15000多个产品系列和型号，产品广泛应用于消费类及工业类电子领域。长晶科技不仅在国内市场占据重要地位，也在国际市场上展现出强大的竞争力。

SGT MOSFET，即屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种结合了沟槽结构和屏蔽栅技术的功率器件。这种结构通过在硅片上刻出深槽，并将栅极埋入深槽中，同时在栅极下方还埋有一层多晶硅，即屏蔽电极或耦合电极。这种设计使得SGT MOSFET具有较小的栅漏电容和较低的导通电阻，从而在保持高频开关特性的同时，还能显著降低导通损耗。

SGT MOSFET的主要优势在于其较低的导通电阻和快速的开关速度。相较于传统的沟槽型MOSFET，SGT MOSFET的内阻更低，可以达到2倍以上，同时具有更好的电荷耦合效应，可以在较低电压下工作，适用于中低压应用场景。此外，SGT MOSFET在雪崩时能够更好地承受雪崩击穿和浪涌电流，具有较高的功率密度，适用于快充、电动汽车、无刷电机和移动储能等新兴市场。

长晶科技在SGT MOSFET领域的应用十分广泛，其产品涵盖了60V至150V的同步整流MOSFET，采用了先进的SGT工艺，具有更低的内阻和高频开关特性，有效改善整机温升并提高效率。此外，长晶科技还提供了输出握手LV MOS，依托Trench工艺提供更好的EAS性能，实现更好的负载特性。

长晶科技凭借其在SGT MOSFET技术上的深厚积累，不断推陈出新，为市场带来了性能卓越的功率器件产品。随着技术的不断发展和市场需求的增长，长晶科技有望在全球功率器件市场中占据更重要的地位，并推动整个行业的进步。

部分型号参数选型参考

产品型号	参数描述
SGT MOS CJP150SN10	Single-N	SGT	No	100	±20	150
SGT MOS CJAB30SN10H	Single-N	SGT	No	100	±20	30
SGT MOS CJAC40SN10L	Single-N	SGT	No	100	±20	40
SGT MOS CJB3R0SN10B	Single-N	SGT	No	100	±20	180
SGT MOS CJAC5R0SN06AL	Single-N	SGT	No	60	±20	98
SGT MOS CJQ014SN06AL	Single-N	SGT	No	60	±20	12
SGT MOS CJAC75SN10L	Single-N	SGT	No	100	±20	75
SGT MOS CJAE9R0SN06AL	Single-N	SGT	No	60	±20	50
SGT MOS CJAC6R0SN10AL	Single-N	SGT	No	100	±20	95
SGT MOS CJB3R9SN10B	Single-N	SGT	No	100	±20	150
SGT MOS CJD65SN10H	Single-N	SGT	No	100	±20	65
SGT MOS CJAC2R5SN04C	Single-N	SGT	No	40	±20	130
SGT MOS CJAB3R9SN04C	Single-N	SGT	No	40	±20	70
SGT MOS CJQ10SN15S	Single-N	SGT	No	150	±20	10
SGT MOS CJB120SN08H	Single-N	SGT	No	85	±20	120
SGT MOS CJP180SN10	Single-N	SGT	No	100	±20	180
SGT MOS CJAC1R5SN04C	Single-N	SGT	No	40	±20	180
SGT MOS CJAC50SN03	Single-N	SGT	No	30	±20	50
SGT MOS CJQ9R9SN065AL	Single-N	SGT	No	65	±20	11
SGT MOS CJAC1R3SN04C	Single-N	SGT	No	40	±20	190

对于SGT MOS型号，想了解更多可以随时联系我们顺海科技

长晶科技SGT MOSFET技术分析

部分型号参数选型参考

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