• 导通损耗低 • 开关损耗低 • 快速开启和关闭 • 减少并联 • 性能稳健可靠 • 环保
• RDS(on)降低约 20% • FOMg 改善了 30%，FOMgd 改善了40% • 较低和较柔和的反向恢复电荷 (Qrr) • 175 °C 结温等级 • 高雪崩能量等级 • 无铅镀层，符合RoHS标准
英飞凌最新的 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 系列可实现最高水平的系统效率。OptiMOS™ 6 采用最先进的沟槽工艺，在开关/导通损耗和电流能力方面有显著改进。这些改进可降低系统损耗，从而提高功率密度、电路板温度和整体系统可靠性。目标应用包括开关模式电源(SMPS) 、可再生能源、Oring 电路、电机驱动、LEV 和电池供电应用。
该系列包含多款产品，包含全新推出的200V，以及120V， 100V，与40V家族。
