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旺诠合金贴片电阻器与二极管有哪些根本上的区别

时间：2022-02-15 阅读量：1287

旺诠合金电阻器和二极管都是一种半导体组件，在连接p型半导体和n型半导体时，在连接p型和n型导体之间的孔，以及连接n型电子的孔，都是一种半导体。这些结合的电子孔和孔相互抵消，使这些连接器周围的区域空空化，从而形成脱流区域。二极管结构p的正离子带有负离子，而n的正离子供体则带有负离子。但是这个过程不会持续太久，因为这些离子正离子和负离子的潜力会抵消它们。这个渗透性区域的电压或潜在的渗透性被称为势垒电压。屏障的大小是锗的0.2，硅的0.6。

电阻器和二极管的物理形式的构造和符号有所不同，二极管可以得到倒向偏移，也可以得到前向偏移，以获得所需的特征。反向折射率是将电池的负电压施加到极谱终端(A)，将正弦电压施加到二极管的极极端子(K)。换句话说，阴极电压VA-K是负的(VA-K <)当蓄电池的正弦电压连接到极光端子（a）和负极对极端子（k）时，二极管被称为正向偏置（正向偏置）。二极管的电压和电流之间的关系可以在二极管的特性曲线上看到。

二极管锗二极管和硅二极管。当二极管有正向偏差时，即当va-k为正弦时，ID流量在达到VG电压后迅速上升。锗二极管的电压约为0.2V，硅二极管的电压约为0.6V。在这样大的电池电压下，连接的势垒将被克服，因此二极管的电流开始快速流动。二极管特性图的左下角是二极管特性图的曲线。当二极管出现退化偏差时。还有两条曲线，二极管和硅二极管。反向二极管的饱和电流为1 mA。硅二极管是一个纳米序列，在这种情况下是10毫安。

与二极管相比，如果二极管负极的va-k电压继续升高，有一天会达到断开电压，即电流会突然升高。在这些分解电压下，很少有载流子加速到足以从原子中释放电子的程度。然后，电子也会加速其他所有物质的释放，使电流变大。在普通二极管中，由于二极管可能损坏，因此始终避免断开电压达到的电压。二极管电流（ID）和二极管电压（VD）之间的电流关系可以是W。

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