IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor),中文名为绝缘栅双极型晶体管,是由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极型晶体管(BJT)组成的复合器件,了两种器件的优点,既有的高输入阻抗和快速MOSFET开关特性,又有的大电流承载能力和低导通压降BJT。主要用于电力电子领域IGBT,比如可以变频器、电源、机电驱动器等。
单管和模块IGBTIGBT是的两种封装情势IGBT,在结构、性能和运用上有所不同。
单管是指将单个芯片封装在一个独立的壳体中IGBTIGBT,常见的封装情势有TO⑵47、TO⑵20、TO⑶等P。单管是体积小IGBT、本钱低、易于散热,适用于电流较小的运用处合,比如可以家电、照明、电源适配器等。
模块是指将多个芯片和驱动电路IGBTIGBT、保护电路等集成在一个模块,常见的封装情势有六单元模块、七单元模块等。模块是电流大IGBT、功率高、可靠性高,适用于电流较大的运用处合,比如可以工业自动化、新能源汽车、轨道交通等。 模块根据内部结构可以分为单管模块和多单元模块IGBT,中单管模块的内部结构由数个模块并接igbt,以到达所的电流量规格,视为大电流量规格的模块单管igbt。
特性 | 单管IGBT | 模块IGBT |
---|---|---|
封装 | 独立封装 | 集成封装 |
电流 | 小电流 | 大电流 |
功率 | 低功率 | 高功率 |
本钱 | 低 | 高 |
散热 | 易于散热 | 额外的散热措施 |
运用 | 家电、照明、电源适配器等 | 工业自动化、新能源汽车、轨道交通等 |
选择单管还是模块IGBTIGBT,根据具体的运用需求来决定,主要斟酌以下因素:
电流大小: 电流是选择单IGBT管还是模块的重要因素,如果电流较小,可以选择单管IGBT,如果电流较大,则选择模块IGBT。
功率大小: 功率也是选择单管还是模块的重要因素IGBT,如果功率较小,可以选择单管IGBT,如果功率较大,则选择模块IGBT。
本钱: 模块的本钱高于单管IGBTIGBT,这样看来在满足性能要求的条件下,应当尽可能选择本钱较低的单管IGBT。
散热: 模块的散热比单管困难IGBTIGBT,这样看来在电路时斟酌散热问题。
技术的不断发展IGBT,单管和模块的性能将会愈来愈高IGBTIGBT,本钱将会愈来愈低,运用范围将会愈来愈广。