ＭＯＳ管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Ｍetal-Ｏxide-Ｓemiconductor Ｆield-Ｅffect Ｔransistor），是电子电路中经常使用的半导体器件。利用电场效应控制电流的导通和截止，能够开关速度快、输入阻抗高、功耗低等优点，用于放大电路、开关电源、数字电路等领域。
管根据不同的分类标准ＭＯＳ，可以分为多种类型。
1. 按沟道类型划分:
沟道管ＮＭＯＳ（ＮＭＯＳ）： 沟道管的导电ＮＭＯＳ沟道由电子构成，电流从漏极（Ｄrain）流向源极（Ｓource）。当栅极（Ｇate）电压高于源极电压一定值时，沟道构成导通；反之，沟道截止。
沟道管ＰＭＯＳ（ＰＭＯＳ）： 沟道管的导电沟道由空穴构成ＰＭＯＳ，电流从源极流向漏极。与沟道管相反ＮＭＯＳ，当栅极电压低于源极电压一定值时，沟道导通；反之，沟道截止。
2. 按工作模式划分:
增强型管ＭＯＳ（Ｅnhancement Ｍode ＭＯＳＦＥＴ）： 增强型管在制造时沟道处于断开状态ＭＯＳ，在栅极施加电压才能构成导电沟道。
耗尽型管ＭＯＳ（Ｄepletion Ｍode ＭＯＳＦＥＴ）： 耗尽型管在制造时沟道已构成ＭＯＳ，栅极电压用于控制沟道的导通电阻。
3. 按封装情势划分:
管的封装情势多种多样ＭＯＳ，常见的有ＴＯ⑼2、ＳＯＴ⑵3、ＴＯ⑵20等，不同的封装情势适用于不同的运用处景。
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管的种类繁多ＭＯＳ实际运用，根据具体的电路需求选择适合的管ＭＯＳ类型。选择管时ＭＯＳ，斟酌以下因素：
沟道类型: 沟道还是沟道ＮＰ
工作模式: 增强型还是耗尽型
耐压: 管所能承受的最大电压ＭＯＳ
电流: 管所能承受的最大电流ＭＯＳ
封装情势: 根据电路板空间和散热需求选择
