ＭＯＳ管，全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Ｍetal-Ｏxide-Ｓemiconductor Ｆield-Ｅffect Ｔransistor），是一种用于电子电路中的半导体器件。利用电场效应来控制电流的导通和截止，能够开关速度快、输入阻抗高、功耗低等优点，这样看来在放大、开关、电源管理等领域，有着着非常的重要的作用。
管的基本结构包含了三个极ＭＯＳ：栅极（Ｇate，简称极Ｇ）、漏极（Ｄrain，简称极Ｄ）和源极（Ｓource，简称极Ｓ）。这三个极分别对应着场效应管的三个基本要素：控制端、输出端和输入端。栅极和漏极、源极之间通过一层薄薄的绝缘层隔开，是二氧化硅，这也是管名称中ＭＯＳ「氧化物」的由来。当施加电压于栅极时，会在绝缘层中感应出电场，从而改变半导体材料的导电性，进而控制漏极和源极之间的电流。
根据导电沟道的类型，管可以分为沟道管ＭＯＳＮＭＯＳ（ＮＭＯＳ）和沟道管ＰＭＯＳ（ＰＭＯＳ）两种。沟道管的导电沟道由电子构成ＮＭＯＳ，而沟道管的导电沟道则由空穴构成ＰＭＯＳ。二者的区分在于，施加于栅极的电压极性不同：Ｎ沟道管正电压才能导通ＭＯＳ，而沟道管则负电压才能导通ＰＭＯＳ。
管根据工作模式的不同ＭＯＳ，又可以分为增强型和耗尽型两种。增强型管在没有栅极电压的情况下处于截止状态ＭＯＳ，只有当施加一定的栅极电压后才能导通；而耗尽型管在没有栅极电压的情况下已处于导通状态ＭＯＳ，施加栅极电压可以调理其导通程度，乃至使其截止。
管的运用领域非常ＭＯＳ，涵盖了电子产品的各个方面消费电子领域，管用于智能手机ＭＯＳ、平板电脑、笔记本电脑等装备，用于电源管理、信号放大、显示驱动等功能；在工业控制领域，管被用于机电驱动ＭＯＳ、开关电源、逆变器等装备中；在汽车电子领域，管被用于发动机控制ＭＯＳ、车身电子、安全系统等方面。技术的不断发展，管的性能还在不断提升ＭＯＳ，运用领域也在不断拓展，未来将在推动电子参数技术发展，有着更加重要的作用。
电话：0755-28100016
邮箱：sales.cn@uxingroup.com
地址：中国广东省深圳市龙华新区清祥路宝能科技园9栋B座7楼
