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mos管测试

时间：2024-10-09 阅读量：18

管ＭＯＳ（Ｍetal-Ｏxide-Ｓemiconductor Ｆield-Ｅffect Ｔransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种用于电子电路中的半导体器件，工作原理基于金属-氧化物-半导体结构的电场效应电子装备维修、电路调试等场景，常常对管进行ＭＯＳ好坏判断。以下介绍几种简单实用的管测试方法ＭＯＳ，希望我们，可以帮助你快速判断管的健康状态ＭＯＳ。

1、万用表二极管档测试

利用万用表的二极管档位可以快速判断管的好坏ＭＯＳ，特别是判断其是不是击穿短路。将万用表拨至二极管档位，红表笔和黑表笔分别接触管的各个引脚ＭＯＳ，视察万用表的读数和指针偏转情况。

**Ｄ-Ｓ极间测试：**正常情况下，管的ＭＯＳＤ-Ｓ极间正反向电阻都应当很大，万用表读数接近无穷大。如果正反向电阻都很小，乃至接近于0，则说明Ｄ-Ｓ极间已短路击穿，管破坏ＭＯＳ。
**Ｇ-Ｄ极间测试：**正常情况下，红表笔接Ｇ极，黑表笔接Ｄ极时，万用表读数应当在400⑻00 左右，反之则接近无穷大。如果正反向读数都很大，或正向读数很小，则说明Ｇ-Ｄ极间存在开路或短路问题，管破坏ＭＯＳ。
Ｇ-Ｓ极间测试： Ｇ-Ｓ极间测试方法与Ｇ-Ｄ极间测试类似，正常情况下也应当出现单向导通特性。如果正反向读数不符合预期，则说明Ｇ-Ｓ极间存在问题。

2、指针万用表测试

使用指针万用表可以更直观地视察管的导通情况ＭＯＳ。将万用表拨至适合的电阻档位，红黑表笔分别接收的ＭＯＳＤ极和Ｓ极，用手指短暂触碰Ｇ极，视察指针的偏转情况。如果指针产生明显偏转，然后回到初始位置，说明管被栅极电压控制导通ＭＯＳ，基本正常；如果指针没有反应或偏转异常，则说明管存在故障ＭＯＳ。

3、替换法

如果怀疑管破坏ＭＯＳ，可使用相同型号的正常管进行替换测试ＭＯＳ。将怀疑破坏的管从电路板上拆下ＭＯＳ，换上已知正常的管ＭＯＳ，视察电路功能是不是恢复正常。如果电路恢复正常，则可以肯定本来的ＭＯＳ管确切存在问题。

4、专业管测试仪ＭＯＳ

对精确丈量管参数的场合ＭＯＳ，可使用管测试仪ＭＯＳ。管测试仪可以丈量管的阈值电压ＭＯＳＭＯＳ、跨导、漏电流等重要参数，并提供图形化的测试结果，希望我们，可以帮助工程师深入分析管的性能ＭＯＳ。

管测试是电子电路调试和维修中的常见任务ＭＯＳ，掌握一些基本的测试方法可以帮助我们快速判断管的好坏ＭＯＳ。万用表二极管档测试、指针万用表测试、替换法等方法都可以在一定程度上帮助我们判断管的工作状态ＭＯＳ。对精确丈量管参数的场合ＭＯＳ，建议使用管测试仪ＭＯＳ。

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