在电子电路，管ＭＯＳ（金属氧化物半导体场效应晶体管）常被用作电子开关，控制电流的通断。管能够导通电阻小ＭＯＳ、开关速度快等优点，这样看来在各种电路中得到运用。管也存在一个缺点ＭＯＳ，那就是容易遭到反向电压的破坏。为了保护ＭＯＳ管免受反向电压冲击，在其电路中加入防反接保护电路。
管防反接保护电路的原理很简单ＭＯＳ，就是在管的电路中串连一个二极管ＭＯＳ。二极管能够单向导电性，只有当电流方向与二极管导通方向一致时，电流才能通过。这样看来，当电路中出现反向电压时，二极管会阻挠反向电流流过ＭＯＳ管，从而起到保护作用。
常见的管防反接保护电路主要有以下几种ＭＯＳ：
串连二极管防反接: 这是一种最简单、最经常使用的方法管的漏极或源极串连一个二极管便可ＭＯＳ。当电路正常工作时，二极管处于正向导通状态，对电路的影响很小。当出现反向电压时，二极管截止，保护管不被反向电压击穿ＭＯＳ。
并联肖特基二极管防反接: 与普通二极管相比，肖特基二极管的正向压下降，响应速度更快，更合适用于对电压降和响应速度要求较高的场合。
使用管进行防反接ＰＭＯＳ: 管的导通条件与管相反ＰＭＯＳＮＭＯＳ，可以利用这一点实现防反接功能。
在实际运用，选择哪类防反接保护电路根据具体的电路要求来决定。比如可以，对低电压、小电流的电路，可使用串连二极管防反接；而对高电压、大电流的电路，则使用并联肖特基二极管防反接或管防反接ＰＭＯＳ。
管防反接保护电路是管电路中不可缺少ＭＯＳＭＯＳ的一部份。公道的防反接保护电路可以可以地提高电路的可靠性和稳定性，延长管的使用寿命ＭＯＳ。
