沟道管ＮＭＯＳ，即增强型沟道金属氧化Ｎ物半导体场效应晶体管，是一种电压控制的开关器件，经常使用于放大电路和数字电路中。导通与截止由栅极电压和源极电压之间的关系决定。
沟道管导通的基本条件是栅源电压ＮＭＯＳ（Ｖgs）大于其阈值电压（Ｖth）。当小于时ＶgsＶth，管处于截止状态ＭＯＳ，没有电流活动。当大于时ＶgsＶth，管开始导通ＭＯＳ，构成沟道，电流从漏极流向源极。导通的程度与的大小成正比Ｖgs，越高Ｖgs，沟道电导率越大，电流越大。
除大于ＶgsＶth，沟道管导通还满足漏源电压ＮＭＯＳ（Ｖds）大于零。这是由于在小于零的情况下Ｖds，管会进入反向偏置状态ＭＯＳ，电流没法活动。
注意的是，沟道管的导通条件还与其工作模式有关ＮＭＯＳ不同的工作模式下，导通条件会有所不同。比如可以线性区，小于ＶdsＶgs-Ｖth，管相当于一个可变电阻ＭＯＳ；在饱和区，大于等于ＶdsＶgs-Ｖth，管相当于一个恒流源ＭＯＳ。
沟道管的导通条件是一个性的概念ＮＭＯＳ，斟酌栅源电压、漏源电压和工作模式等因素。只有在满足所有条件的情况下，管才能正常导通ＭＯＳ，实现其开关和放大功能。
