型管增强ＰＭＯＳ型是一种常见的金属-氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）。的栅极ＭＯＳＦＥＴ、源极和漏极三端子，分别对应着普通晶体管的基极、发射极和集电极，但的工作原理与普通晶体管有较大ＭＯＳＦＥＴ区分中ＭＯＳＦＥＴ，栅极电压的变化控制着漏极电流的大小，而型管增强型则特指在没有栅极电压时不导通ＰＭＯＳ，施加高于阈值电压的负电压才能使其导通的沟道ＰＭＯＳＦＥＴ。
型管增强型的结构ＰＭＯＳ是在型半导体衬底上制作两个型区域ＮＰ，分别作为源极和漏极源极和漏极之间构成沟道，沟道表面覆盖一层薄薄的二氧化硅（ＳiＯ2）绝缘层，再在绝缘层上覆盖一层金属或多晶硅，构成栅极。当栅极电压为0时，源极和漏极之间没有导电沟道，器件处于截止状态。当在栅极施加负电压，且电压值高于阈值电压时，栅极下方的型衬底会感应出空穴Ｎ，构成型导电沟道Ｐ，器件导通，电流可以从源极流向漏极。栅极电压越负，沟道中的空穴浓度越高，导通电流越大。
型管增强型能够以下特点ＰＭＯＳ：
电压控制元件: 栅极电流极小，漏极电流由栅源电压控制。
导通电阻小: 在导通状态下，沟道电阻很小，功耗低。
开关速度快: 没有少子存储效应，开关速度快。
型管增强型用于各种电子电路中ＰＭＯＳ，比如可以：
开关电路: 用于电源开关、信号切换等。
放大电路: 可以构成共源放大电路、共漏放大电路等。
数字电路: 用作 ＣＭＯＳ 反相器、逻辑门电路等。
型管增强型与型管增强型的主要区分在于导电载流子的类型和ＰＭＯＳＮＭＯＳ工作电压的极性。型管增强型以空穴为主要导电载流子ＰＭＯＳ，施加负电压才能导通；而型管增强型以电子为主要导电载流子ＮＭＯＳ，施加正电压才能导通。
总而言之，Ｐ型管增强型是一种重要的半导体器件ＭＯＳ，能够电压控制、导通电阻小、开关速度快等优点电子电路中，有着侧重要作用。
