功率晶体管作为电子系统中的关键功率器件，负责控制和转换大量的电能，用于电力电子、消费电子、工业控制等领域。近些年来，新能源汽车、5Ｇ 通讯、工业自动化等新兴产业的快速发展，市场对功率晶体管的需求延续增长，推动了功率晶体管技术的不断进步和运用领域的不断拓展。
功率晶体管依照结构和工作原理可以分为双极型晶体管（ＢＪＴ）和场效应晶体管（ＦＥＴ）两大类。其，ＢＪＴ 能够电流驱动、导通电阻低等优点，但开关速度较慢；ＦＥＴ 则能够电压驱动、开关速度快等优点，但导通电阻相对较高。为了满足不同运用处景的需求，近些年来还出现出许多新型功率晶体管，比如可以绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）、碳化硅（ＳiＣ）功率器件、氮化镓（ＧaＮ）功率器件等。ＩＧＢＴ 用了 ＢＪＴ 和 ＦＥＴ 的优点，能够高耐压、大电流、低导通消耗等特点，用于工业变频器、ＵＰＳ 电源等领域。ＳiＣ 和 ＧaＮ 功率器件则能够更高的开关频率、更低的导通消耗、更高的工作温度等优势电动汽车充电桩、光伏逆变器等领域展现出巨大的运用潜力。
现在，，功率晶体管市场出现出以下发展趋势：
高功率密度、高效力化： 电子装备小型化、轻量化趋势的不断发展，市场对功率密度更高、效力更高的功率晶体管的需求日趋迫切。
宽禁带半导体材料运用： ＳiＣ、ＧaＮ 等宽禁带半导体材料的运用，将进一步提升功率器件的性能和效力，推动功率电子技术向更高频率、更高功率、更高效力的方向发展。
智能化、集成化： 智能制造和物联网技术的快速发展，功率晶体管正朝着智能化、集成化方向发展，比如可以集成驱动电路、保护电路、传感器等功能，以满足更加复杂的运用需求。
未来，技术的不断进步和运用领域的不断拓展，功率晶体管市场将继续保持稳步增长的趋势。预计到 2028 年，全球功率晶体管市场范围将到达数百亿美元，中亚太地区将成为最大的市场。
