双沟Ｐ道管ＭＯＳ，顾名思义，是指在一个器件中集成两个沟道的电子元件ＰＭＯＳＦＥＴ。ＭＯＳＦＥＴ，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以被电压控制的半导体器件，用于各种电子电路中。沟Ｐ道是以空穴作为载流子ＭＯＳＦＥＴ，工作原理是通过在栅极施加电压，构成电场，从而控制源极和漏极之间电流的流通。
双沟道管采取ＰＭＯＳ上下结构或左右结构，行将两个沟道的源极连接在一起ＰＭＯＳＦＥＴ，而漏极则分别引出。这类结构使得双沟道管能够以下优势ＰＭＯＳ：
更高的电流承载能力: 相比于单个沟道ＰＭＯＳＦＥＴ，双沟道管可以承载更大的电流ＰＭＯＳ，这是由于电流可以在两个并联的沟道之间分流ＰＭＯＳＦＥＴ。
更低的导通电阻: 双沟道管的导通电阻ＰＭＯＳ更低，这意味着在相同电流下，产生的功耗更小，有益于提高电路的效力和下降发热。
更小的封装尺寸: 将两个沟道集成在一个封装内ＰＭＯＳＦＥＴ，可以可以减小器件的体积，方便电路的布局和缩小产品尺寸。
双沟道管用于各种控制大电流的场合ＰＭＯＳ，比如可以：
电源管理: 在电源管理电路，双沟道管可以用作电源开关ＰＭＯＳ，控制电流的通断，实现过流保护、电压转换等功能。
机电驱动: 双沟道管可以用于驱动机电ＰＭＯＳ，控制机电的转速和方向。
照明ＬＥＤ: 在照明电路中ＬＥＤ，双沟道管可以用来控制灯的亮度ＰＭＯＳＬＥＤ。
注意的是，沟道的阈值ＰＭＯＳＦＥＴ电压较高，这意味着更高的栅极电压才能使其导通。沟道的开关速度比沟道慢ＰＭＯＳＦＥＴＮＭＯＳＦＥＴ，这在一些高速运用中斟酌。
双沟道管是一种性能优秀的电子元件ＰＭＯＳ许多领域都的运用。技术的不断进步，相信双沟道管的性能会愈来愈好ＰＭＯＳ，运用也会愈来愈。
