场效应管（ＦＥＴ）和管ＭＯＳ（ＭＯＳＦＥＴ）都是重要的半导体器件，用于电子电路中。虽然二者都属于场效应管的范畴，但在结构、工作原理和运用上存在明显差异。
场效应管主要分为结型场效应管（ＪＦＥＴ）和金属-氧化物-半导体场效应管（ＭＯＳＦＥＴ）两大类。利用结的耗尽层ＪＦＥＴＰＮ来控制电流，而则利用金属栅极和半导体沟道之间的绝缘层来控制电流ＭＯＳＦＥＴ。
管ＭＯＳ，也称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种电压控制的器件，工作原理是通过电压变化控制载流子的浓度，从而控制电流的导通或截止。 管能够输入阻抗高ＭＯＳ、功耗低、开关速度快等优点，这样看来被用于数字电路、摹拟电路和功率电子领域。
管又可以细分为沟道管和沟道管ＭＯＳＮＭＯＳＰＭＯＳ，和耗尽型和增强型管ＭＯＳ。 沟道管的导电沟道是型半导体ＮＭＯＳＮ，而沟道管的导电沟道是型半导体ＰＭＯＳＰ。增强型管在栅极电压为零时处于ＭＯＳ截止状态，只有当栅极电压超过阈值电压时才开始导通。而耗尽型管在栅极电压为零时处于导通状态ＭＯＳ，当栅极电压超过阈值电压时才会被截止。
总而言之，场效应管是一个大的种别，而管ＭＯＳ是其中重要的一类。管以其优良的性能在现代电子技术中扮演着很重要，不可缺少的角色ＭＯＳ，被用于各种电子装备中。
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