ＭＯＳＦＥＴ（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种用于电力电子领域的器件，能够开关速度快、输入阻抗高、驱动功率低等优点。根据结构的不同，ＭＯＳＦＥＴ 可以分为平面ＭＯＳＦＥＴ 和超结ＭＯＳＦＥＴ 两种。
平面ＭＯＳＦＥＴ 是一种以前的 ＭＯＳＦＥＴ 结构，沟道构成于硅片表面，源极和漏极在同一平面内。这类结构的优点是工艺简单、本钱低，但缺点是导通电阻较大，特别是高压器件，导通电阻会电压的升高而急剧增加。这是由于在高压情况下，增加漂移区的厚度来承受更高的电压，而漂移区的电阻率较高，致使导通电阻增加。
为了克服平面ＭＯＳＦＥＴ 的缺点，人们开发出了超结ＭＯＳＦＥＴ。超结ＭＯＳＦＥＴ 的关键在于其独特的结构，将 Ｐ 型搀杂区域（称为 Ｐ 柱）垂直引入 Ｎ 型漂移区，构成类似于许多个「柱子」的结构。这类结构可以可以地减小漂移区的电阻率，从而下降导通电阻。 具体来讲，超结结构的引入，使得导通电阻仅为以前平面工艺的1/3。
与平面ＭＯＳＦＥＴ 相比，超结ＭＯＳＦＥＴ 能够以下优势：
**更低的导通电阻：**超结结构可以可以下降导通电阻，特别是在高压运用中优势明显。
**更快的开关速度：**超结ＭＯＳＦＥＴ 的米勒电容更小，可以实现更快的开关速度。
**更高的功率密度：**导通电阻和开关消耗的下降，超结ＭＯＳＦＥＴ 可以实现更高的功率密度。
超结ＭＯＳＦＥＴ 的出现，为高压、大电流运用提供了更好的解决方案，被用于开关电源、ＬＥＤ 照明、电动汽车等领域。 比如可以硬换向运用，选择能够快速恢复体二极管的超结ＭＯＳＦＥＴ 显得尤其重要。
总而言之，平面ＭＯＳＦＥＴ 和超结ＭＯＳＦＥＴ 各有优缺点，可以根据具体的运用需求选择适合的器件。对低压、小电流运用，平面ＭＯＳＦＥＴ 依然是一个不错的选择，而对高压、大电流运用，超结ＭＯＳＦＥＴ 则能够明显的优势。
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